文章摘要：全球半导体企业为了率先批量生产 200 层以上 NAND 闪存，展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在 2022 年底或 2023 年上半年推出
全球半导体企业为了率先批量生产 200 层以上 NAND 闪存，展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在 2022 年底或 2023 年上半年推出 200 层以上 NAND 闪存，并在明年上半年开始批量生产。
据 businesskorea 报道，三星电子原计划在 2021 年末开始量产 176 层 NAND，但考虑到市场情况，推迟到了 2022 年第一季度。不过美国的美光已经开始量产 176 层 NAND，业内人士预测，三星电子将加快 200 层以上 NAND 闪存量产的步伐，以夺回被美光夺走的技术领先地位。
业内人士称，三星电子将在 128 层的单片存储器上叠加 96 层，推出 224 层的 NAND 闪存。与 176 层相比，224 层 NAND 闪存的生产效率和数据传输速度将提高 30%。
另外，美光和 SK 海力士也在加速 200 层以上 NAND 闪存的开发。
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