据外媒报道，刚刚三星官方宣布即将开始量产首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS)芯片，以用于下一代移动设备(会是将在CES2018展会上亮相的GalaxyS9吗？)。
官方称，三星512GBeUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片，新款512GBeUFS封装为即将推出的旗舰智能手机和平板电脑提供了无与伦比的存储容量和出色的性能。
据介绍，三星512GBeUFS控制器芯片不仅加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程，而且读写能力也不错。比如，顺序读写速度分别达到860MB/s和255MB/s，能够在6秒内将5GB的全高清视频片段传输到SSD，相比于普通的microSD卡速度提高了8倍。
对于随机操作，三星512GBeUFS可以读取42,000IOPS并写入40,000IOPS。基于eUFS的快速随机写入，比传统microSD卡的100IOPS速度快大约400倍，移动用户可以享受无缝的多媒体体验，如高分辨率连拍，以及双重文件搜索和视频下载应用程序查看模式。
存储方面，搭载三星512GBeUFS的旗舰手机可存储大约130个10分钟*的4K超高清(3840×2160)视频剪辑比64GBeUFS大约增加了十倍，也就是13个相同大小的视频剪辑。
而且，为了最大限度发挥512GBeUFS的性能和能源效率，三星还推出了一套新的独家技术，全新的电源管理技术，将能源消耗降到最低。512GBeUFS控制器芯片不仅加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程。
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