作为最早开始应用全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称GAA)技术的制造商，三星在3nm工艺上率先使用GAA晶体管。英特尔和台积电目前最先进的工艺依然在使用上一代的FinFET工艺，目前转向GAA的速度远不及三星。
随着三星在9月实现第一代GAA制程工艺量产之后，三星已经着手研发第二代GAA技术。三星负责芯片制造业务的执行副总裁MoonsooKang表示，与6月开始使用的第一代GAA技术相比，三星第二代GAA技术可以将晶体管尺寸缩小约20%。Kang还表示：“我们重注投资GAA技术”，“在尺寸缩小的同时，我们还提高性能和功率”。
三星研发的初代GAA技术叫做SF3E，已经于今年6月量产。第二GAA技术叫做SF3，将进一步缩小处理器的尺寸。更小尺寸的芯片无论是制造续航更长的智能手表、加速游戏PC上的图形处理，还是在智能手表和数据中心中构建新的人工智能加速器，其作用对维持计算进步至关重要。
近年来，摩尔定律受到外界质疑，逐渐放缓的速度似乎在印证着它的没落。但在实际上，摩尔定律是否失效目前尚无定论。不过每个晶体管成本增加已经是不争的事实，对于想要通过最新芯片制造技术获益的制造商来说，成本将是不得不考虑的问题。
写在最后：事实上，英特尔和台积电都陆续公开部分GAA晶体管的设计理念，但何时应用目前尚无定论。三星3nm GAA已经证实发布，但三星方面并未公布使用该工艺的客户;迅速公开第二代GAA，三星的最终目标还是与台积电争夺潜在的客户。
本站尊重版权，转载目的在于传递更多信息，若内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将及时处理。
